Login
- Titel:
RESISTANCE-SWITCHING MEMORY CELL WITH HEAVILY DOPED METAL OXIDE LAYER
- Dokumenttyp:
- Patentanmeldung
- Patentanmeldung Nr.:
- US 2011227024 (A1)
- Erfinder:
- SEKAR DEEPAK C [US]; KREUPL FRANZ [US]
- Patentanmelder:
- SEKAR DEEPAK C [US]; KREUPL FRANZ [US]
- Anmeldeland:
- US
- Veröffentlichungsdatum / Anmeldung:
- 22.09.2011
- Jahr:
- 2011
- Sprache:
- de
- TUM Einrichtung:
- Hybride Elektronische Systeme
- Format:
- Text
BibTeX