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- Titel:
Memory Cell With Resistance-Switching Layers And Lateral Arrangement
- Dokumenttyp:
- Patentanmeldung
- Patentanmeldung Nr.:
- US020110310654A1
- Erfinder:
- KREUPL FRANZ, DE SHRIVASTAVA RITU, US
- Patentanmelder:
- KREUPL FRANZ, DE SHRIVASTAVA RITU, US
- Veröffentlichungsdatum / Anmeldung:
- 22.12.2011
- Jahr:
- 2011
- Sprache:
- en
- TUM Einrichtung:
- Hybride Elektronische Systeme
- Format:
- Text
BibTeX