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Title:
Circuit design with adjustable threshold using the independently controlled double gate feature of the Vertical Slit Field Effect Transistor (VESFET)
Author(s):
Weis, M.; Schmitt-Landsiedel, D.
Journal title:
Advances in Radio Science
Year:
2010
Journal volume:
8
Pages contribution:
275--278
Fulltext / DOI:
doi:10.5194/ars-8-275-2010
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