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- Originaltitel:
- InGaN Nanowires on Silicon
- Übersetzter Titel:
- InGaN Nanodrähte auf Silizium
- Autor:
- Weiszer, Saskia Maria Edda
- Jahr:
- 2019
- Dokumenttyp:
- Dissertation
- Fakultät/School:
- Fakultät für Physik
- Betreuer:
- Stutzmann, Martin (Prof. Dr.)
- Gutachter:
- Stutzmann, Martin (Prof. Dr.); Koblmüller, Gregor (Priv.-Doz. Dr.)
- Sprache:
- en
- Fachgebiet:
- ELT Elektrotechnik; PHY Physik
- TU-Systematik:
- PHY 685d; ELT 300d
- Kurzfassung:
- In this thesis (i) the growth of InN nanowires on Si, (ii) the alloying of InN nanowires with Ga, and (iii) the electrical properties of the InN/InGaN-Si heterostructures are investigated. Spontaneously and selectively grown InN nanowires are investigated structurally. InGaN nanowires show an inhomogeneous distribution of Ga atoms. Current-voltage characteristics of the InN/InGaN-Si heterostructures show a rectifying behavior, which depends strongly on the doping of the Si substrate.
- Übersetzte Kurzfassung:
- In der Arbeit werden (i) das Wachstum von InN-Nanodrähten auf Si, (ii) das Legieren von InN-Nanodrähten mit Ga, und (iii) die elektrischen Eigenschaften der InN/InGaN-Si-Heterostrukturen untersucht. Spontan und selektiv gewachsene InN-Nanodrähte werden strukturell untersucht. InGaN-Nanodrähte weisen eine ungleichmäßige Verteilung der Ga-Atome auf. Strom-Spannungs-Kennlinien der InN/InGaN-Si-Heterostrukturen zeigen ein gleichrichtendes Verhalten, das stark von der Dotierung des Si-Substrats abhän... »
- Serie / Reihe:
- Selected Topics of Semiconductor Physics and Technology = Ausgewählte Probleme der Halbleiterphysik und Technologie
- Bandnummer:
- 228
- ISBN:
- 978-3-946379-28-7
- WWW:
- https://mediatum.ub.tum.de/?id=1485070
- Eingereicht am:
- 07.05.2019
- Mündliche Prüfung:
- 18.07.2019
- Letzte Änderung:
- 04.11.2019
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