Temperaturabhängigkeit der bipolaren Aktivierung und der Leckstromdichten von 10 kV 4H-SiC JBS-Dioden

Titel:: Temperaturabhängigkeit der bipolaren Aktivierung und der Leckstromdichten von 10 kV 4H-SiC JBS-Dioden
Dokumenttyp:: Konferenzbeitrag
Autor(en):: Lechner, B.
Kongress- / Buchtitel:: 48. Kolloquium Leistungshalbleiter-Bauelemente und ihre systemtechnische Integration
Datum der Konferenz:: 21- 22 Oktober
Jahr:: 2019
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