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Title:
Temperaturabhängigkeit der bipolaren Aktivierung und der Leckstromdichten von 10 kV 4H-SiC JBS-Dioden
Document type:
Konferenzbeitrag
Author(s):
Lechner, B.
Book / Congress title:
48. Kolloquium Leistungshalbleiter-Bauelemente und ihre systemtechnische Integration
Date of congress:
21- 22 Oktober
Year:
2019
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Occurrences:
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Schools
TUM School of Computation, Information and Technology
Departments
Electrical Engineering
Microsensors and Actuators (Prof. Schrag)
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