Diese Dissertation behandelt die Möglichkeiten zur Stabilisierung von Feldemissionsströmen für zukünftige Anwendungen. Im Mittelpunkt steht die Integration von Siliziumspitzen in Feldeffekttransistoren, um die technologie- und umgebungsbedingten Schwankungen zu minimieren, denen der aus Spitzen emittierte Strom unterliegt. Neben ausführlichen theoretischen Grundlagen zur Thematik der Feldemission und einer Dokumentation des Stands der Technik bereiten Prozess- und elektrische Simulationen die praktische Realisierung vor. Zur Evaluierung des Konzepts werden in verschiedenen nass- und trockenchemischen Ätztechniken aus Silizium hergestellte Feldemitter in ihren Emissionseigenschaften untersucht. Ebenso kommen EBID-Emitter zum Einsatz. Zur Regelung der Emissionströme werden dabei sowohl eine externe Verbindung von Hochqualitäts-MOSFETs mit Feldemittern als auch deren monolithische Integration in einem Bauelement untersucht.
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Diese Dissertation behandelt die Möglichkeiten zur Stabilisierung von Feldemissionsströmen für zukünftige Anwendungen. Im Mittelpunkt steht die Integration von Siliziumspitzen in Feldeffekttransistoren, um die technologie- und umgebungsbedingten Schwankungen zu minimieren, denen der aus Spitzen emittierte Strom unterliegt. Neben ausführlichen theoretischen Grundlagen zur Thematik der Feldemission und einer Dokumentation des Stands der Technik bereiten Prozess- und elektrische Simulationen die pr...
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