Diese Dissertation behandelt die Möglichkeiten zur Stabilisierung von Feldemissionsströmen für zukünftige Anwendungen. Im Mittelpunkt steht die Integration von Siliziumspitzen in Feldeffekttransistoren, um die technologie- und umgebungsbedingten Schwankungen zu minimieren, denen der aus Spitzen emittierte Strom unterliegt. Neben ausführlichen theoretischen Grundlagen zur Thematik der Feldemission und einer Dokumentation des Stands der Technik bereiten Prozess- und elektrische Simulationen die praktische Realisierung vor. Zur Evaluierung des Konzepts werden in verschiedenen nass- und trockenchemischen Ätztechniken aus Silizium hergestellte Feldemitter in ihren Emissionseigenschaften untersucht. Ebenso kommen EBID-Emitter zum Einsatz. Zur Regelung der Emissionströme werden dabei sowohl eine externe Verbindung von Hochqualitäts-MOSFETs mit Feldemittern als auch deren monolithische Integration in einem Bauelement untersucht.    «

Diese Dissertation behandelt die Möglichkeiten zur Stabilisierung von Feldemissionsströmen für zukünftige Anwendungen. Im Mittelpunkt steht die Integration von Siliziumspitzen in Feldeffekttransistoren, um die technologie- und umgebungsbedingten Schwankungen zu minimieren, denen der aus Spitzen emittierte Strom unterliegt. Neben ausführlichen theoretischen Grundlagen zur Thematik der Feldemission und einer Dokumentation des Stands der Technik bereiten Prozess- und elektrische Simulationen die pr...    »

This dissertation covers the possibilities to stabilize the field emission current for future applications. The focus is on the integration of Silicon Tips into Field Effect Transistors to minimize the fluctuations of the emitted current due to technology and operation conditions. Beside theoretical fundamentals of field emission and a documentation of the state of the art Simulations prepare the device realisation. Several wet and dry chemical etching techniques are used to create Silicon Tips to characterize the emission properties. In addition EBID emitters are implemented. To control the emission current, high quality MOSFETs are used for external connection and integration.    «

This dissertation covers the possibilities to stabilize the field emission current for future applications. The focus is on the integration of Silicon Tips into Field Effect Transistors to minimize the fluctuations of the emitted current due to technology and operation conditions. Beside theoretical fundamentals of field emission and a documentation of the state of the art Simulations prepare the device realisation. Several wet and dry chemical etching techniques are used to create Silicon Tips...    »