High Q nanomechanical resonators fabricated from crystalline silicon carbide

Klaß, Yannick Sebastian

Yannick Sebastian Klaß

If you experience problems opening the document, please try this link.

Original title:: High Q nanomechanical resonators fabricated from crystalline silicon carbide
Translated title:: Nanomechanische Saitenresonatoren mit hoher Güte aus hochverspanntem Siliciumcarbid
Author:: Klaß, Yannick Sebastian
Year:: 2022
Document type:: Dissertation
Faculty/School:: TUM School of Computation, Information and Technology
Advisor:: Weig, Eva (Prof. Dr.)
Referee:: Weig, Eva (Prof. Dr.); Scheer, Elke (Prof. Dr.)
Language:: en
Subject group:: PHY Physik
TUM classification:: TEC 030
Abstract:: This work investigates high Q nanomechanical string resonators fabricated from crystalline 3C-SiC(111). We determine two growth-dependent material parameters: The Young's modulus and the tensile stress. Due to the high tensile stress, our SiC string resonators offer exceptional quality factors at room and low temperatures. We measure a constant loss angle over a broad frequency range with the help of a new dissipation model.
Translated abstract:: In dieser Arbeit werden nanomechanische Saitenresonatoren aus kristallinem 3C-SiC(111) mit hoher Güte untersucht. Wir bestimmen das Elastizitätsmodul und die Zugspannung, welche beide vom Wachstumsprozess des Wafers abhängen. Aufgrund der hohen Zugspannung bieten SiC Stringresonatoren extreme Qualitätsfaktoren sowohl bei Raum- als auch bei Tieftemperatur. Mit Hilfe eines neuen Dissipationsmodells messen wir einen konstanten intrinsischen Qualitätsfaktor über einen breiten Frequenzbereich.
WWW:: https://mediatum.ub.tum.de/?id=1661330
Date of submission:: 14.06.2022
Oral examination:: 12.09.2022
File size:: 21147366 bytes
Pages:: 143
Urn (citeable URL):: https://nbn-resolving.de/urn/resolver.pl?urn:nbn:de:bvb:91-diss-20220912-1661330-1-2
Last change:: 28.10.2022
BibTeX