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- Titel:
Evaluation of NbN thin films grown by MOCVD and plasma-enhanced ALD for gate electrode application in high-k/SiO2gate stacks
- Dokumenttyp:
- Zeitschriftenaufsatz
- Autor(en):
- Hinz, J; Bauer, A J; Thiede, T; Fischer, R A; Frey, L
- Zeitschriftentitel:
- Semiconductor Science and Technology
- Jahr:
- 2010
- Band / Volume:
- 25
- Heft / Issue:
- 4
- Seitenangaben Beitrag:
- 045009
- Volltext / DOI:
- doi:10.1088/0268-1242/25/4/045009
- Verlag / Institution:
- IOP Publishing
- E-ISSN:
- 0268-12421361-6641
- Publikationsdatum:
- 23.02.2010
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