Strain engineering of GaAs(Sb)-(In,Al,Ga)As core-shell single nanowire-lasers on silicon
Übersetzter Titel:
Verspannungs-Engineering von GaAs(Sb)-(In,Al,Ga)As Kern-Schale Nanodraht Lasern auf Silizium
Autor:
Schmiedeke, Paul Jan Michael
Jahr:
2023
Dokumenttyp:
Dissertation
Fakultät/School:
TUM School of Natural Sciences
Betreuer:
Koblmüller, Gregor (Priv.-Doz. Dr.)
Gutachter:
Koblmüller, Gregor (Priv.-Doz. Dr.); Sharp, Ian (Prof. Dr.)
Sprache:
en
Fachgebiet:
PHY Physik
TU-Systematik:
PHY 000
Kurzfassung:
This thesis investigates GaAs based single core-shell Nanowire (NW) lasers. Self-catalyzed GaAs NW growth and the effect of their crystal phase on the in-situ thermal decomposition dynamics is examined. It is experimentally shown how an InAlGaAs buffer layer can reduce strain in radial InGaAs multi quantum-wells. Usage of GaAsSb NWs as core reduces strain alike and their growth is successfully developed for usage in NW lasers.
Übersetzte Kurzfassung:
Diese Arbeit behandelt GaAs-basierte einzelne Kern-Schale Nanodraht (NW) Laser. Selbst-katalysiertes GaAs NW Wachstum und der Effekt der Kristallphase auf die in-situ Dynamik ihrer thermischen Zersetzung wird untersucht. Es wird experimentell gezeigt wie eine InAlGaAs Pufferschicht die Verspannung in radialen InGaAs Multi-Quantentöpfen verringern kann. Die Nutzung von GaAsSb NWs als Kern verringert Verspannung ebenso und ihr Wachstum wird erfolgreich zur Nutzung für NW Laser entwickelt.
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