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- Originaltitel:
- Defect and interface engineering of chemical vapor deposited MoS2
- Übersetzter Titel:
- Defekt- und Grenzflächentechnik von CVD gewachsenem MoS2
- Autor:
- Grünleitner, Theresa
- Jahr:
- 2023
- Dokumenttyp:
- Dissertation
- Fakultät/School:
- TUM School of Natural Sciences
- Betreuer:
- Sharp, Ian (Prof. Dr.)
- Gutachter:
- Sharp, Ian (Prof. Dr.); Koblmüller, Gregor (Priv.-Doz. Dr.)
- Sprache:
- en
- Fachgebiet:
- PHY Physik
- TU-Systematik:
- PHY 685
- Kurzfassung:
- In this doctoral thesis, chemical vapor deposition (CVD) is established and optimized for fabrication of the 2D transition metal dichalcogenide (TMD) molybdenum disulfide (MoS2). Using this technique, we study the integration of MoS2 for large-scale device production with spatial control, develop a new thin film conductive support structure for improved optoelectronic performance, and modify the optoelectronic properties of MoS2 via deterministic defect generation for applications in photocataly... »
- Übersetzte Kurzfassung:
- Im Zuge dieser Doktorarbeit wurde die chemischen Gasphasenabscheidung (CVD) etabliert um 2D Materialien herzustellen. Diese Methode ist besonders für die großtechnische Herstellung geeignet und wird hier für selektives Wachstum von hoch qualitativem Molybdän Disulfid (MoS2) benutzt. Weiterhin wird eine leitfähige und transparente Dünnfilm Struktur für verbesserte optoelektronische Eigenschaften bei der Integration von 2D und 3D Materialien entwickelt und als Substrat für die gezielte Defektgenerierung in MoS2 mittels synchrotronbasierter Röntgenstrahlung benutzt.
- ISBN:
- 978-3-946379-48-5
- WWW:
- https://mediatum.ub.tum.de/?id=1692729
- Eingereicht am:
- 29.11.2022
- Mündliche Prüfung:
- 29.03.2023
- Letzte Änderung:
- 03.07.2023
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