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Original title:
Untersuchungen zur Temperaturabhängigkeit des Widerstandsverhaltens memristiver Bauelemente auf der Basis von TiO2
Translated title:
Investigations on the temperature dependence of the resistance behaviour of memristive devices on the basis of TiO2
Author:
Reiser, Daniel Ludwig
Year:
2024
Document type:
Dissertation
Faculty/School:
TUM School of Computation, Information and Technology
Institution:
Molekularelektronik (Prof. Tornow)
Advisor:
Tornow, Marc (Prof. Dr.)
Referee:
Tornow, Marc (Prof. Dr.); Eisele, Ignaz (Prof. Dr.)
Language:
de
Subject group:
ELT Elektrotechnik
TUM classification:
ELT 363
Abstract:
Es wurden digital und analog schaltende Memristoren in Form von Titandioxid zwischen Aluminium- und / oder Platin-Elektroden hergestellt. Bei digitalen Memristoren verursachte ein Temperaturanstieg ein spontanes, zurücksetzbares Schalten des elektrischen Widerstands, ein hoher Strom eine lokale Migration des Bottom-Elektroden-Materials auf die Top-Elektrode. Simulationen (Kooperation mit Politecnico di Milano) konnten ersteren Effekt durch inhomogene Ionen-Diffusion und unterschiedliche Ionenmigrations-Aktivierungsenergien im TiO2 erklären.
Translated abstract:
Digital and analogue switching memristors were produced in form of titanium dioxide between aluminium and / or platinum electrodes. In the case of digital memristors, an increase in temperature caused a spontaneous, resettable switching of the electrical resistance, while a high current caused a local migration of the bottom electrode material to the top electrode. Simulations (cooperation with Politecnico di Milano) could explain the former effect by inhomogeneous ion diffusion and different ion migration activation energies in TiO2.
WWW:
https://mediatum.ub.tum.de/?id=1719199
Date of submission:
23.08.2023
Oral examination:
17.04.2024
File size:
46900762 bytes
Pages:
192
Urn (citeable URL):
https://nbn-resolving.de/urn/resolver.pl?urn:nbn:de:bvb:91-diss-20240417-1719199-1-0
Last change:
10.05.2024
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