The aim of this work was the growth of GaN nanowires on diamond surfaces for the future realization of quantum computers and UV light-emitting diodes. Both, a spontaneous and a selective growth mode are demonstrated, the latter allowing a precise control of the position and diameter of the nanowires. With the help of controlled nanowire doping, p-diamond/n-GaN nanodiodes were fabricated. Their electrical transport properties and electroluminescence spectra are discussed and compared to numerical simulations of the electronic band structure.      «

The aim of this work was the growth of GaN nanowires on diamond surfaces for the future realization of quantum computers and UV light-emitting diodes. Both, a spontaneous and a selective growth mode are demonstrated, the latter allowing a precise control of the position and diameter of the nanowires. With the help of controlled nanowire doping, p-diamond/n-GaN nanodiodes were fabricated. Their electrical transport properties and electroluminescence spectra are discussed and compared to numerical...     »

Gegenstand dieser Arbeit ist das Wachstum von GaN-Nanodrähten auf Diamantoberflächen für eine zukünftige Realisierung von Quantencomputern und UV Leuchtdioden. Demonstriert werden sowohl ein spontaner als auch ein selektiver Wachstumsmodus, der eine Kontrolle von Position und Durchmesser der Nanodrähte erlaubt. Mittels Dotierung der Nanodrähte wurden p-Diamant/n-GaN Nanodioden hergestellt. Deren elektrische Transporteigenschaften sowie Elektrolumineszenzspektren werden diskutiert und mit numerischen Simulationen der elektronischen Bandstruktur verglichen.     «

Gegenstand dieser Arbeit ist das Wachstum von GaN-Nanodrähten auf Diamantoberflächen für eine zukünftige Realisierung von Quantencomputern und UV Leuchtdioden. Demonstriert werden sowohl ein spontaner als auch ein selektiver Wachstumsmodus, der eine Kontrolle von Position und Durchmesser der Nanodrähte erlaubt. Mittels Dotierung der Nanodrähte wurden p-Diamant/n-GaN Nanodioden hergestellt. Deren elektrische Transporteigenschaften sowie Elektrolumineszenzspektren werden diskutiert und mit numeris...     »