The electronic charge transfer processes across the GaN surface have been investigated in this work by combining conductance and contact potential measurements. In particular, we have probed the role of localized shallow defect states in the kinetics of photo-generated charges. We found that these states are responsible for the trapping of photo-generated electrons in the space charge region close to the surface, which explains the slow response of the PC to illumination. We also evaluated the influence of electrically active surface states on the charge transfer across the GaN/electrolyte interface.      «

The electronic charge transfer processes across the GaN surface have been investigated in this work by combining conductance and contact potential measurements. In particular, we have probed the role of localized shallow defect states in the kinetics of photo-generated charges. We found that these states are responsible for the trapping of photo-generated electrons in the space charge region close to the surface, which explains the slow response of the PC to illumination. We also evaluated the i...     »

Gegenstand dieser Arbeit ist die Untersuchung von elektronischen Ladungstransferprozessen an der Galliumnitrid (GaN)-Oberfläche mittels Photoleitung und Kontaktpotential-Messungen. Dabei führen lokalisierte flache Defektzustände nahe der bzw. direkt auf der GaN-Oberfläche zu einer sehr langsamen Rekombinations- Kinetik der photogenerierten Ladungsträger. Darüber hinaus wird der Einfluss dieser Defektzustände auf den Ladungstransfer an der GaN/Elektrolyt Grenzfläche mittels elektrochemischer Methoden spektroskopiert.      «

Gegenstand dieser Arbeit ist die Untersuchung von elektronischen Ladungstransferprozessen an der Galliumnitrid (GaN)-Oberfläche mittels Photoleitung und Kontaktpotential-Messungen. Dabei führen lokalisierte flache Defektzustände nahe der bzw. direkt auf der GaN-Oberfläche zu einer sehr langsamen Rekombinations- Kinetik der photogenerierten Ladungsträger. Darüber hinaus wird der Einfluss dieser Defektzustände auf den Ladungstransfer an der GaN/Elektrolyt Grenzfläche mittels elektrochemischer Meth...     »