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Titel:
Comparative Study of Contact Topographies of 4,5 kV SiC MPS Diodes for Optimizing the Forward Characteristics
Dokumenttyp:
Konferenzbeitrag
Autor(en):
Huang, Y.; Wachutka, G.
Seitenangaben Beitrag:
117-120
Kongress- / Buchtitel:
Proceedings of Simulation of Semiconductor Processes and Devices
Jahr:
2016
Sprache:
en
BibTeX
Vorkommen:
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