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Titel:

Influence of Quasi-3D Filament Geometry onf the Latch-Up Threshold of High-Voltage Trench-IGBTs

Dokumenttyp:
Konferenzbeitrag
Art des Konferenzbeitrags:
Vortrag / Präsentation
Autor(en):
Toechterle, C.; Pfirsch, F.; Sandow, C.; Wachutka, G.
Seitenangaben Beitrag:
177 - 180
Kongress- / Buchtitel:
Proceedings of Simulation of Semiconductor Processes and Devices
Datum der Konferenz:
2016, Sep. 6 - 8
Jahr:
2016
Jahr / Monat:
2016-09
Monat:
Sep
Print-ISBN:
978-1-5090-0818-6/16
Sprache:
en
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