Diese Doktorarbeit zeigt die Ergebnisse von Untersuchungen der Grenzfläche zwischen Halbleiter-Heterostrukturen mit großer Bandlücke (Galliumnitrid) und (bio)molekularen Systemen auf deren Oberfläche für den Einsatz in der Biosensorik, Bioelektronik und für photoelektrische Anwendungen. Ein Schwerpunkt liegt dabei auf den Prozessen, die durch hochenergetische ionisierende Strahlung hervorgerufen werden, insbesondere neuartige photoelektrischen Verstärkungs-Mechanismen innerhalb der Heterostruktur.
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Diese Doktorarbeit zeigt die Ergebnisse von Untersuchungen der Grenzfläche zwischen Halbleiter-Heterostrukturen mit großer Bandlücke (Galliumnitrid) und (bio)molekularen Systemen auf deren Oberfläche für den Einsatz in der Biosensorik, Bioelektronik und für photoelektrische Anwendungen. Ein Schwerpunkt liegt dabei auf den Prozessen, die durch hochenergetische ionisierende Strahlung hervorgerufen werden, insbesondere neuartige photoelektrischen Verstärkungs-Mechanismen innerhalb der Heterostruktu...
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