Eine Schlüsselrolle in der zukünftigen CMOS-Herstellung sowie in vielen Bereichen der Nanotechnologie wird der Atomlagenabscheidung (Atomic Layer Deposition, ALD) zugeordnet. Diese Arbeit beschäftigt sich mit dem Entwurf eines neuartigen Reaktorkonzeptes und der Realisierung einer kompletten ALD-Anlage. Zwei ALD-Prozesse zur Abscheidung von Aluminiumoxid und Siliziumnitrid werden implementiert und optimiert. Die physikalischen und elektrischen Eigenschaften der abgeschiedenen Schichten werden untersucht. Quartz Crystal Microbalance wird als leistungsfähige Methode zur Visualisierung der Vorgänge auf der Oberfläche während ALD eingesetzt. Das Potential dieser Technik zur Optimierung in situ und zum Monitoring des ALD-Prozesses wird gezeigt.     «

Eine Schlüsselrolle in der zukünftigen CMOS-Herstellung sowie in vielen Bereichen der Nanotechnologie wird der Atomlagenabscheidung (Atomic Layer Deposition, ALD) zugeordnet. Diese Arbeit beschäftigt sich mit dem Entwurf eines neuartigen Reaktorkonzeptes und der Realisierung einer kompletten ALD-Anlage. Zwei ALD-Prozesse zur Abscheidung von Aluminiumoxid und Siliziumnitrid werden implementiert und optimiert. Die physikalischen und elektrischen Eigenschaften der abgeschiedenen Schichten werden un...     »

Atomic layer deposition will play a key role in future CMOS manufacturing as well as in many other fields of nanotechnology. The scope of this thesis is the development of a novel reactor concept and its implementation in a complete deposition system. ALD processes for deposition of silicon nitride and alumina were established and optimized. Physical analysis of the deposited films was performed in order to investigate the film composition. The electrical properties were characterized using MIS capacitors and field effect transistors. Quartz crystal microbalance was used to observe the adsorption behavior on the surface during ALD. It has shown to be a powerful and very helpful tool for in situ monitoring und optimizing of the ALD process.      «

Atomic layer deposition will play a key role in future CMOS manufacturing as well as in many other fields of nanotechnology. The scope of this thesis is the development of a novel reactor concept and its implementation in a complete deposition system. ALD processes for deposition of silicon nitride and alumina were established and optimized. Physical analysis of the deposited films was performed in order to investigate the film composition. The electrical properties were characterized using MIS...     »