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Original title:
Entwurf und Charakterisierung einer Anlage zur Abscheidung atomar selbstregelnder Schichten
Translated title:
Design and characterization of atomic layer deposition system
Author:
Rangelov, Ventzeslav
Year:
2010
Document type:
Dissertation
Institution:
Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik
Advisor:
Hansch, Walter (Prof. Dr.)
Referee:
Lugli, Paolo (Prof., Ph.D.); Hansch, Walter (Prof. Dr.)
Language:
de
Subject group:
ELT Elektrotechnik
Keywords:
Atomic Layer Deposition, ALD
Translated keywords:
Atomic Layer Deposition, ALD
Abstract:
Eine Schlüsselrolle in der zukünftigen CMOS-Herstellung sowie in vielen Bereichen der Nanotechnologie wird der Atomlagenabscheidung (Atomic Layer Deposition, ALD) zugeordnet. Diese Arbeit beschäftigt sich mit dem Entwurf eines neuartigen Reaktorkonzeptes und der Realisierung einer kompletten ALD-Anlage. Zwei ALD-Prozesse zur Abscheidung von Aluminiumoxid und Siliziumnitrid werden implementiert und optimiert. Die physikalischen und elektrischen Eigenschaften der abgeschiedenen Schichten werden un...    »
Translated abstract:
Atomic layer deposition will play a key role in future CMOS manufacturing as well as in many other fields of nanotechnology. The scope of this thesis is the development of a novel reactor concept and its implementation in a complete deposition system. ALD processes for deposition of silicon nitride and alumina were established and optimized. Physical analysis of the deposited films was performed in order to investigate the film composition. The electrical properties were characterized using MIS...    »
WWW:
https://mediatum.ub.tum.de/?id=829466
Date of submission:
17.12.2009
Oral examination:
23.12.2010
File size:
10685929 bytes
Pages:
125
Urn (citeable URL):
https://nbn-resolving.de/urn/resolver.pl?urn:nbn:de:bvb:91-diss-20101223-829466-1-4
Last change:
25.02.2011
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