Zur Herstellung von Subnanometerschichten verwendet man in der modernen Mikro- und Nanoelektronik atomar selbstlimitierende Abscheideverfahren (Atomic Layer Deposition - ALD). In der vorliegenden Arbeit wird die Verwendung verschiedener ALD-Dielektrika im MOS-Stack von Feldeffekttransistoren (FET) untersucht. Ausgehend von der technologischen Realisierung der MOSFET-Bauelemente wird die Entwicklung der ALD-Prozesse beschrieben. Es wird aufgezeigt, wie sich durch die Prozessführung die elektrischen Eigenschaften der ALD-Dielektrika optimieren lassen und welche für die Halbleiterindustrie wichtigen FET-Leistungsmerkmale daraus resultieren.     «

Zur Herstellung von Subnanometerschichten verwendet man in der modernen Mikro- und Nanoelektronik atomar selbstlimitierende Abscheideverfahren (Atomic Layer Deposition - ALD). In der vorliegenden Arbeit wird die Verwendung verschiedener ALD-Dielektrika im MOS-Stack von Feldeffekttransistoren (FET) untersucht. Ausgehend von der technologischen Realisierung der MOSFET-Bauelemente wird die Entwicklung der ALD-Prozesse beschrieben. Es wird aufgezeigt, wie sich durch die Prozessführung die elektrisch...    »

In modern micro- and nanoelectronics films on the scale of atomic monolayers have to be synthesized .by atomic layer depostion (ALD). In this thesis the application of ALD dielectrics in MOSFET gate stacks is investigated. Starting with production and technology issues concerning the MOSFET devices, the development of the ALD processes is described. The impact of process design on the electric properties of the ALD dielectrics is discussed. Important semiconductor industry benchmarks are derived from the FET devices.     «

In modern micro- and nanoelectronics films on the scale of atomic monolayers have to be synthesized .by atomic layer depostion (ALD). In this thesis the application of ALD dielectrics in MOSFET gate stacks is investigated. Starting with production and technology issues concerning the MOSFET devices, the development of the ALD processes is described. The impact of process design on the electric properties of the ALD dielectrics is discussed. Important semiconductor industry benchmarks are derived...    »