Halbleiter-Bauelemente aus Siliziumkarbid (SiC) haben vielversprechende Eigenschaften, insbesondere für Hochleistungs-, Hochtemperatur- und Hochfrequenz-Anwendungen. Zur Optimierung derartiger Bauelemente ist ein detailliertes Verständnis ihres elektrothermischen Verhaltens unabdingbar. Anhand einer neuartigen optischen Messapparatur wird das interne elektrothermische Verhalten von SiC-Bauelementen untersucht. Aus dem Vergleich der Ergebnisse des realen Experiments mit denen eines korrespondierenden virtuellen Experiments können zudem die zur prädiktiven SiC-Bauelementesimulation benötigten physikalischen Modelle validiert und kalibriert werden.     «

Halbleiter-Bauelemente aus Siliziumkarbid (SiC) haben vielversprechende Eigenschaften, insbesondere für Hochleistungs-, Hochtemperatur- und Hochfrequenz-Anwendungen. Zur Optimierung derartiger Bauelemente ist ein detailliertes Verständnis ihres elektrothermischen Verhaltens unabdingbar. Anhand einer neuartigen optischen Messapparatur wird das interne elektrothermische Verhalten von SiC-Bauelementen untersucht. Aus dem Vergleich der Ergebnisse des realen Experiments mit denen eines korrespondier...     »

Semiconductor devices made of siliconcarbide (SiC) exhibit promising properties in particular with regard to high power, high temperature and high frequencies applications. A detailed understanding of the electrothermal behavior of these devices is indispensable for their optimization. By means of an innovative optical measurement set-up the internal electrothermal behavior of SiC devices is investigated. In addition, by comparing the results of the real experiment with those of a corresponding virtual experiment, the physical device models required for predictive device simulation can be validated and calibrated.     «

Semiconductor devices made of siliconcarbide (SiC) exhibit promising properties in particular with regard to high power, high temperature and high frequencies applications. A detailed understanding of the electrothermal behavior of these devices is indispensable for their optimization. By means of an innovative optical measurement set-up the internal electrothermal behavior of SiC devices is investigated. In addition, by comparing the results of the real experiment with those of a corresponding...     »