Inelastische Lichtstreuung an freien Ladungsträgern in Halbleiterstrukturen

Benutzer: Gast

Dokumenttyp:: Habilitation
Autor(en):: Abstreiter, Gerhard
Informationen zum Autor:: Prof. Dr. Gerhard Abstreiter, Ordinarius für Experimentelle Halbleiterphysik I an der TU München, erhielt mehrere Preise (u. a. Leibnizpreis 1987, Max-Born-Preis 1998, Schellingpreis 2006) und ist seit 2007 ordentliches Mitglied der Bayerischen Akademie der Wissenschaften.
Titel:: Inelastische Lichtstreuung an freien Ladungsträgern in Halbleiterstrukturen
Übersetzter Titel:: Inelastic light scattering by free carriers in semiconductor heterostructures
Stichworte:: Resonanzverhalten, Subbandanregung, Depolarisationsverschiebung, Halbleiter Heterostrukturen, Raman-Streuung
Fachgebiet:: PHY Physik
DDC:: 530 Physik
Jahr:: 1984
Sprache:: de
Sprache der Übersetzung:: en
Hinweise:: Die Retrodigitalisierung konnte dank Spenden von Alumni der TU München finanziert werden.
Hochschule / Universität:: Technische Universität München
Fakultät:: Fakultät für Physik
Format:: Text
BVB-ID:: BV002105303
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