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Titel:

Coding and bounds for partially defective memory cells

Dokumenttyp:
Zeitschriftenaufsatz
Autor(en):
Al Kim, Haider ; Puchinger, Sven ; Tolhuizen, Ludo ; Wachter-Zeh, Antonia
Stichworte:
Article ; Flash memories ; Non-volatile memories ; Defective memory ; (Partially) Stuck cells ; Error-correcting codes ; Gilbert-Varshamov bound ; 94B20 ; 94B65 ; 94B60
Zeitschriftentitel:
Designs, Codes and Cryptography
Jahr:
2023
Band / Volume:
91
Heft / Issue:
12
Seitenangaben Beitrag:
4019-4058
Volltext / DOI:
doi:10.1007/s10623-023-01270-0
Verlag / Institution:
Springer US
E-ISSN:
0925-1022 ; 1573-7586
Publikationsdatum:
24.08.2023
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