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Titel:

Annealing-Free Ohmic Contacts to n-Type GaN via Hydrogen Plasma-Assisted Atomic Layer Deposition of Sub-Nanometer AlOx

Dokumenttyp:
Zeitschriftenaufsatz
Autor(en):
Christis, Maximilian ; Henning, Alex ; Bartl, Johannes D. ; Zeidler, Andreas ; Rieger, Bernhard ; Stutzmann, Martin ; Sharp, Ian D.
Stichworte:
Research Article ; Research Articles ; atomic layer deposition ; gallium nitride ; interface engineering ; ohmic contacts ; plasma modification
Zeitschriftentitel:
Advanced Materials Interfaces
Jahr:
2023
Band / Volume:
11
Heft / Issue:
4
Volltext / DOI:
doi:10.1002/admi.202300758
E-ISSN:
2196-7350
Publikationsdatum:
01.12.2023
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