Thyristor structures (SCR) are the best choice as ESD protection device for USB3.2 data lines due to their low holding voltage of less than 2.5V. The devices developed in this work cover working voltages from 3.3V to 18V, through a tunable trigger element. The novel LTVT device can protect both USB3.2 and RF applications such as NFC. An initial version of the developed LTVT achieved an system level ESD robustness of 20kV at a device capacitance of 0.25pF (15.5fF/kV). After optimization, 23kV at 0.3pF and a trigger voltage lower than 10V were achieved.     «

Thyristor structures (SCR) are the best choice as ESD protection device for USB3.2 data lines due to their low holding voltage of less than 2.5V. The devices developed in this work cover working voltages from 3.3V to 18V, through a tunable trigger element. The novel LTVT device can protect both USB3.2 and RF applications such as NFC. An initial version of the developed LTVT achieved an system level ESD robustness of 20kV at a device capacitance of 0.25pF (15.5fF/kV). After optimization, 23kV at...     »

Thyristorstrukturen sind aufgrund ihrer niedrigen Haltespannung von weniger als 2.5V die beste Wahl als ESD-Schutz für USB3.2 Datenleitungen. Die in dieser Arbeit entwickelten Bauelemente decken Arbeitsspannungen von 3,3V bis 18V, durch ein abstimmbares Triggerelement ab. Das neuartige LTVT-Bauelement kann sowohl USB3.2 als auch RF-Anwendungen wie NFC schützen. Eine erste Version des entwickelten LTVT erreichte eine ESD-Robustheit von 20kV bei einer Kapazität von 0.25pF (15.5fF/kV). Nach Optimierung wurden 23kV bei 0.3pF und eine Triggerspannung kleiner 10V erreicht.     «

Thyristorstrukturen sind aufgrund ihrer niedrigen Haltespannung von weniger als 2.5V die beste Wahl als ESD-Schutz für USB3.2 Datenleitungen. Die in dieser Arbeit entwickelten Bauelemente decken Arbeitsspannungen von 3,3V bis 18V, durch ein abstimmbares Triggerelement ab. Das neuartige LTVT-Bauelement kann sowohl USB3.2 als auch RF-Anwendungen wie NFC schützen. Eine erste Version des entwickelten LTVT erreichte eine ESD-Robustheit von 20kV bei einer Kapazität von 0.25pF (15.5fF/kV). Nach Optimie...     »