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- Titel:
Memory Cell With Resistance-Switching Layers
- Dokumenttyp:
- Patentanmeldung
- Patentanmeldung Nr.:
- JP2013534723 (A)
- Erfinder:
- KREUPL FRANZ [DE]; BANDYOPADHYAY ABHIJIT [US]; CHEN YUNG TIN [US]; FU CHU CHEN [US]; JAYASEKARA WIPUL PEMSIRI [US]; KAI JAMES [US]; MAKALA RAGHUVEER S [IN]; RABKIN PETER [US]; SAMACHISA GEORGE [US]; ZHANG JINGYAN [US]
- Patentanmelder:
- KREUPL FRANZ [DE]; BANDYOPADHYAY ABHIJIT [US]; CHEN YUNG TIN [US]; FU CHU CHEN [US]; JAYASEKARA WIPUL PEMSIRI [US]; KAI JAMES [US]; MAKALA RAGHUVEER S [IN]; RABKIN PETER [US]; SAMACHISA GEORGE [US]; ZHANG JINGYAN [US]
- Anmeldeland:
- JP
- Veröffentlichungsdatum / Anmeldung:
- 05.09.2013
- Jahr:
- 2013
- Nachgewiesen in:
- Scopus
- TUM Einrichtung:
- Hybride Elektronische Systeme
- Format:
- Text
BibTeX