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Titel:

[EN] Memory cell with resistance-switching layers and lateral arrangement

Dokumenttyp:
Patentanmeldung
Patentanmeldung Nr.:
CN000102986048A
Erfinder:
KREUPL FRANZ, SHRIVASTAVA RITU
Patentanmelder:
KREUPL FRANZ, SHRIVASTAVA RITU
Anmeldeland:
CN
Veröffentlichungsdatum / Anmeldung:
20.03.2013
Jahr:
2013
Sprache:
ch
Nachgewiesen in:
Scopus
TUM Einrichtung:
Hybride Elektronische Systeme
Format:
Text
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