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Titel:

[EN] MEMORY CELL WITH RESISTANCE-SWITCHING LAYERS INCLUDING BREAKDOWN LAYER

Dokumenttyp:
Patentanmeldung
Patentanmeldung Nr.:
CN000103003971A
Erfinder:
FU CHU-CHEN, KREUPL FRANZ, NIAN YIBO
Patentanmelder:
FU CHU-CHEN, KREUPL FRANZ, NIAN YIBO
Anmeldeland:
CN
Veröffentlichungsdatum / Anmeldung:
27.03.2013
Jahr:
2013
Nachgewiesen in:
Scopus
TUM Einrichtung:
Hybride Elektronische Systeme
Format:
Text
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