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- Titel:
in-situ Characterization of MOCVD grown GaAs- and InP-based tunable VCSEL structures
- Dokumenttyp:
- Konferenzbeitrag
- Autor(en):
- C. Grasse; Y. Tomita, Y; P. Wiecha; R. Meyer; T. Grundl; M. Muller and M.-C. Amann
- Kongress- / Buchtitel:
- International conference on indium phosphide and related materials (IPRM)
- Jahr:
- 2013
- Reviewed:
- ja
BibTeX
Vorkommen:
- mediaTUM GesamtbestandHochschulbibliographie2013Zentrale EinrichtungenZentralinstitut für physikalische Grundlagen der Halbleiterelektronik
- mediaTUM GesamtbestandEinrichtungenForschungszentrenZentralinstitut für Physikalische Grundlagen d. Halbleiterelektronik - Walter Schottky Institut (WSI)Halbleitertechnologie (Prof. Belkin)Publications2013
- mediaTUM GesamtbestandEinrichtungenSchools TUM School of Computation, Information and TechnologyDepartmentsElectrical EngineeringHalbleitertechnologie (Prof. Belkin)Publications2013