Within this work, a solution-based approach to inverse opal structured Si/Ge thin films ultilizing intermetallic phases containing well-defined atom clusters was investigated. Additionally, porous Sn/Bi thin films could be obtained. Solubility in common laboratory solvents and therefore accessibility of nine atomic Si/Ge clusters was enhanced by introduction of silyl ligands and NHC stabilized coinage metal complexes to the clusters. The resulting compounds were tested as new precursors for the solution-based fabrication of thin films of semiconducting materials.      «

Within this work, a solution-based approach to inverse opal structured Si/Ge thin films ultilizing intermetallic phases containing well-defined atom clusters was investigated. Additionally, porous Sn/Bi thin films could be obtained. Solubility in common laboratory solvents and therefore accessibility of nine atomic Si/Ge clusters was enhanced by introduction of silyl ligands and NHC stabilized coinage metal complexes to the clusters. The resulting compounds were tested as new precursors for the...     »

In dieser Arbeit wurde die Herstellung dünner Si/Ge Filme mit inverser Opalstruktur ausgehend von Atomclustern aus intermetallischen Phasen in Lösung untersucht. Zusätzlich konnten dünne, poröse Sn/Bi Filme erhalten werden. Die Löslichkeit von neunatomigen Si/Ge Clustern in gängigen Lösungsmitteln wurde durch die Einführung von Silylliganden sowie NHC stabilisierten Münzmetallkomplexen erhöht. Die neuen Ausgangsverbindungen wurden für die lösungsmittelbasierte Herstellung dünner Schichten von Halbleitermaterialien untersucht.     «

In dieser Arbeit wurde die Herstellung dünner Si/Ge Filme mit inverser Opalstruktur ausgehend von Atomclustern aus intermetallischen Phasen in Lösung untersucht. Zusätzlich konnten dünne, poröse Sn/Bi Filme erhalten werden. Die Löslichkeit von neunatomigen Si/Ge Clustern in gängigen Lösungsmitteln wurde durch die Einführung von Silylliganden sowie NHC stabilisierten Münzmetallkomplexen erhöht. Die neuen Ausgangsverbindungen wurden für die lösungsmittelbasierte Herstellung dünner Schichten von Ha...     »