Nanodrähte werden dazu verwendet, um Limitierungen beim epitaktischen Dünnschicht-Wachstum zu überwinden und die Kristallqualität von Halbleitern zu verbessern. In dieser Arbeit wurden Gruppe-III-Nitrid-Nanodrähte für zwei verschiedene Ziele untersucht: (i) Die Entwicklung von hochverspannten koaxialen Heterostrukturen zur Erforschung neuartiger optoelektronischer und sensorischer Anwendungen; (ii) Die Benutzung der natürlichen Wellenleitergeometrie und elektronischen Eigenschaften von Galliumnitrid-Nanodrähten zur verbesserten Auslesbarkeit von Stickstoff-Fehlstellen-Zentren in Diamant.
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Nanodrähte werden dazu verwendet, um Limitierungen beim epitaktischen Dünnschicht-Wachstum zu überwinden und die Kristallqualität von Halbleitern zu verbessern. In dieser Arbeit wurden Gruppe-III-Nitrid-Nanodrähte für zwei verschiedene Ziele untersucht: (i) Die Entwicklung von hochverspannten koaxialen Heterostrukturen zur Erforschung neuartiger optoelektronischer und sensorischer Anwendungen; (ii) Die Benutzung der natürlichen Wellenleitergeometrie und elektronischen Eigenschaften von Galliumn...
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