Direct printing of large area metal thin film electrode pairs with nanometer spacing onto organic thin films using molecular beam epitaxy based stamps
Übersetzter Titel:
Direkter Nanotransferdruck von großflächigen Metalldünnschichtfilmen mit Nanometerabstand zueinander auf organische Dünnschichtfilmoberflächen mittels auf Molekularstrahlepitaxie basierenden Stempeln
Autor:
Saller, Kai B.
Jahr:
2019
Dokumenttyp:
Dissertation
Fakultät/School:
TUM School of Computation, Information and Technology
Institution:
Molekularelektronik (Prof. Tornow)
Betreuer:
Tornow, Marc (Prof. Dr.)
Gutachter:
Tornow, Marc (Prof. Dr.); Koblmüller, Gregor (Priv.-Doz. Dr.)
Sprache:
en
Fachgebiet:
ELT Elektrotechnik
TU-Systematik:
ELT 363
Kurzfassung:
Nanotransfer printing using molecular beam epitaxy based stamps (MBE-nTP) was used to fabricate innovative devices exhibiting lateral current conduction in both top and bottom contact geometries - with active layers consisting of self-assembled monolayers (SAMs). This was facilitated by radically improving MBE-nTP, allowing the seminal demonstration of direct printing of metal thin film contact pairs forming electrically insulating solid state nanogaps with lengths of 20 ± 3 nm.
Übersetzte Kurzfassung:
Durch Nanotransferdruck mittels auf Molekularstrahlepitaxie basierenden Stempeln (MBE-nTP) wurden Bauteile mit lateraler Stromführung durch selbstorganisierte Monolagen (SAMs) und Kontaktplatzierung sowohl ober- als auch unterhalb dieser hergestellt. Dazu war es notwendig, MBE-nTP grundlegend zu überarbeiten, um ohne Zwischenschritte Metalldünnschichtfilmpaare, elektrisch isoliert voneinander durch Nanospalte mit einer Länge von 20 ± 3 nm, drucken zu können.