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Titel:

METHODS FOR FORMING A MEMORY CELL WITH SILICON-CONTAINING CARBON SWITCHING LAYER

Dokumenttyp:
Patent
Patent, Gebrauchsmuster Nr.:
EP 2539936 B1
Erfinder:
KREUPL FRANZ, DE ; XU HUIWEN, US ; ZHANG JINGYAN, US
Patentanmelder:
KREUPL FRANZ, DE ; XU HUIWEN, US ; ZHANG JINGYAN, US
Anmeldeland:
EP
Veröffentlichungsdatum / Patent:
06.04.2016
Jahr:
2016
Sprache:
en
Nachgewiesen in:
Scopus
TUM Einrichtung:
Hybride Elektronische Systeme
Format:
Text
 BibTeX