Benutzer: Gast  Login
Titel:

Vertical InAs-Si Gate-All-Around Tunnel FETs Integrated on Si Using Selective Epitaxy in Nanotube Templates

Dokumenttyp:
Zeitschriftenaufsatz
Autor(en):
Cutaia, Davide; Moselund, Kirsten E.; Borg, Mattias; Schmid, Heinz; Gignac, Lynne; Breslin, Chris M.; Karg, Siegfried; Uccelli, Emanuele; Riel, Heike
Zeitschriftentitel:
IEEE Journal of the Electron Devices Society
Jahr:
2015
Band / Volume:
3
Heft / Issue:
3
Seitenangaben Beitrag:
176-183
Volltext / DOI:
doi:10.1109/jeds.2015.2388793
Verlag / Institution:
Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
E-ISSN:
2168-6734
Publikationsdatum:
01.05.2015
 BibTeX