This dissertation focuses on the development of novel electrically-pumped, continuous­wave operating GaSb-based application-suited VCSELs in the wavelength range between 2.3 µm and 2.6 µm. Lateral current confinement and index guiding in the device are accomplished by utilizing the buried tunnel junction (BTJ) concept. The developed devices with record long emission wavelengths of 2.6 µm exhibit single-mode operation with a reasonably wide mod-hop free tuning range. The design, fabrication and especially the characterization of such lasers are extensively discussed here. This thesis also presents some design principles for next generation high performance GaSb-VCSELs based on the device characterization results. The examination of the several individual device components and their successful implementation into the device are also covered here. This work certainly paves the way for the development of compact, reliable and cost‐effective photonic sensors used in gas sensing applications.      «

This dissertation focuses on the development of novel electrically-pumped, continuous­wave operating GaSb-based application-suited VCSELs in the wavelength range between 2.3 µm and 2.6 µm. Lateral current confinement and index guiding in the device are accomplished by utilizing the buried tunnel junction (BTJ) concept. The developed devices with record long emission wavelengths of 2.6 µm exhibit single-mode operation with a reasonably wide mod-hop free tuning range. The design, fabrication and e...     »

Diese Dissertation behandelt die Entwicklung neuer elektrisch gepumpter kontinuierlich betriebener VCSEL Strukturen auf GaSb Basis im Wellenlängenbereich von 2.3 bis 2.6 µm. Transversale Strombegrenzung und Indexführung im Bauteil wurden mittels vergrabenen Tunnelkontakts realisiert. Die hergestellten Bauelemente mit Emissionswellenlängen von 2.6 µm arbeiten im Single-Modus mit weitem Abstimmbereich und vernachlässigbaren Modensprüngen. Design, Herstellung und insbesondere die Charakterisierung solcher Laser werden ausführlich diskutiert. Zudem werden in dieser Arbeit, auf der Grundlage der vorangegangenen Charakterisierung, Prinzipien zum Design von GaSb-VCSEL der nächsten Generation erläutert. Ebenfalls wird die Untersuchung mehrerer einzelner Komponenten und deren erfolgreiche Implementierung in das Bauteil behandelt. Diese Arbeit ermöglicht die Entwicklung von kompakten, zuverlässigen und kosteneffizienten photonischen Sensoren für Anwendungen in der Gas Sensorik.     «

Diese Dissertation behandelt die Entwicklung neuer elektrisch gepumpter kontinuierlich betriebener VCSEL Strukturen auf GaSb Basis im Wellenlängenbereich von 2.3 bis 2.6 µm. Transversale Strombegrenzung und Indexführung im Bauteil wurden mittels vergrabenen Tunnelkontakts realisiert. Die hergestellten Bauelemente mit Emissionswellenlängen von 2.6 µm arbeiten im Single-Modus mit weitem Abstimmbereich und vernachlässigbaren Modensprüngen. Design, Herstellung und insbesondere die Charakterisierung...     »