In this thesis low phase noise SiGe HBT monolithically integrated push-push oscillators for millimeter wave frequency generation are investigated. Nonlinear simulation methods for oscillator signal and noise analysis and device physics at high currents and high voltages are discussed. Push-push oscillators with output frequencies from 63 GHz up to 280 GHz were designed and after fabrication in an external foundry investigated experimentally. For automotive radar applications a VCO with a center frequency of 78.5 GHz and a tuning bandwidth of 6.4 % has been realized. Within this range the output power is 4.0 dBm and a very low single sideband phase noise level below -105 dBc/Hz at 1 MHz offset is achieved. An oscillator with an output frequency around 278 GHz achieved an output power of -20 dBm.     «

In this thesis low phase noise SiGe HBT monolithically integrated push-push oscillators for millimeter wave frequency generation are investigated. Nonlinear simulation methods for oscillator signal and noise analysis and device physics at high currents and high voltages are discussed. Push-push oscillators with output frequencies from 63 GHz up to 280 GHz were designed and after fabrication in an external foundry investigated experimentally. For automotive radar applications a VCO with a center...     »

In dieser Arbeit werden phasenrauscharme, monolithisch integrierte SiGe HBT Push-Push-Oszillatoren für Frequenzen im Millimeterwellenbereich untersucht. Nichtlineare Simulationsmethoden zur Signal- und Rauschanalyse von Oszillatoren und Transistoreigenschaften bei hohen Strömen und Spannungen werden diskutiert. Push-Push-Oszillatoren mit Ausgangsfrequenzen von 63 GHz bis 280 GHz wurden entworfen, und nachdem sie in einer externen Technologie realisiert wurden auch experimentell untersucht. Für die Anwendung in Kraftfahrzeug-Radar wurde ein VCO mit einer Mittenfrequenz von 78.5 GHz und einem Abstimmbereich von 6.4 % realisiert. In diesem Frequenzbereich erzielt die Schaltung eine Ausgangsleistung von 4.0 dBm bei sehr niedrigem Phasenrauschen, das bei einer Ablagefrequenz von 1 MHz unter -105 dBc/Hz liegt. Ein Oszillator mit einer Ausgangsfrequenz um 278 GHz erzielte eine Ausgangsleistung von -20 dBm.     «

In dieser Arbeit werden phasenrauscharme, monolithisch integrierte SiGe HBT Push-Push-Oszillatoren für Frequenzen im Millimeterwellenbereich untersucht. Nichtlineare Simulationsmethoden zur Signal- und Rauschanalyse von Oszillatoren und Transistoreigenschaften bei hohen Strömen und Spannungen werden diskutiert. Push-Push-Oszillatoren mit Ausgangsfrequenzen von 63 GHz bis 280 GHz wurden entworfen, und nachdem sie in einer externen Technologie realisiert wurden auch experimentell untersucht. Für d...     »