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Titel:

A study of dielectric breakdown of a half-bridge switching cell with substrate integrated 650 V GaN dies

Dokumenttyp:
Konferenzbeitrag
Art des Konferenzbeitrags:
Textbeitrag / Aufsatz
Autor(en):
Dechant, E.; Seliger, N.; Kennel, R.
Abstract:
This paper proposes an ultra-low inductance halfbridge switching cell with substrate integrated 650V GaN bare dies. A vertical parallel-plate waveguide structure with 100μm layer thickness results in a commutation loop inductance of 0.5 nH resulting in a negligible drain-source voltage overshoot in the inductive load standard pulse test. On the other hand reliable circuit operation requires an assessment of the isolation strength of the thin dielectric layer in the main commutation loop,...     »
Kongress- / Buchtitel:
Proceeding of the 2019 IEEE International Workshop on Integrated Power Packaging (IWIPP2019)
Datum der Konferenz:
Apr 24, 2019 - Apr 26, 2019
Jahr:
2019
Quartal:
2. Quartal
Jahr / Monat:
2019-04
Monat:
Apr
Reviewed:
ja
Sprache:
en
Semester:
SS 19
TUM Einrichtung:
Lehrstuhl für Elektrische Antriebssysteme und Leistungselektronik
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