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Original title:
Investigations on Current Filaments Limiting the Safe-Operating Area of High-Voltage Trench-Insulated-Gate Bipolar Transistors
Translated title:
Untersuchungen zum Einfluss von Stromfilamentierungen auf den sicheren Arbeitsbereich von hochvolt trench-Bipolartransistoren mit isolierter Gate-Elektrode
Author:
Töchterle, Christopher
Year:
2022
Document type:
Dissertation
Faculty/School:
TUM School of Computation, Information and Technology
Advisor:
Wachutka, Gerhard (Prof. Dr.)
Referee:
Wachutka, Gerhard (Prof. Dr.); Tornow, Marc (Prof. Dr.); Lutz, Josef (Prof. Dr.)
Language:
en
Subject group:
ELT Elektrotechnik
TUM classification:
ELT 200
Abstract:
Current filaments limiting the safe-operating area of high-voltage trench-insulated-gate bipolar transistors (trench-IGBTs) are investigated in this thesis. Their physical features and their relation to device failure as a function of their geometry was investigated in the course of a self-consistent theoretical numerical analysis. Using the novel approach presented in this thesis, it is possible to obtain results that are in good agreement with experimental data.
Translated abstract:
In dieser Arbeit wird der Einfluss von Stromfilamenten auf den sicheren Arbeitsbereich von hochvolt trench-Bipolartransistoren mit isolierter Gate-Elektrode untersucht. Die physikalischen Eigenschaften dieser Filamente und deren Beziehung zu einem Ausfall eines solchen Bauteils werden anhand von theoretischen numerischen Verfahren untersucht. Das in dieser Arbeit vorgestellte Verfahren erlaubt es quantitativ richtige Aussagen über den sicheren Arbeitsbereich von IGBTs prädiktiv zu machen.
WWW:
https://mediatum.ub.tum.de/?id=1577646
Date of submission:
18.11.2020
Oral examination:
04.03.2022
File size:
9471525 bytes
Pages:
133
Urn (citeable URL):
https://nbn-resolving.de/urn/resolver.pl?urn:nbn:de:bvb:91-diss-20220304-1577646-1-2
Last change:
03.02.2023
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