In this thesis the growth of catalyst-free In(Ga)As nanowires on Si(111) by molecular beam epitaxy was investigated. In particular, two growth strategies were developed, i.e., a self-assembled (spatially unordered) nanowire growth on SiOx/Si(111) and site-selective growth (spatially ordered nanowires) on lithographically patterned SiO2/Si(111). The nanowire growth parameter window with respect to growth temperature and flux rates was investigated and the high temperature thermal stability of InAs nanowires analyzed. In addition, the dominant nanowire growth mechanism was elaborated. Moreover, the crystal structure of InAs nanowires was studied by transmission electron microscopy. For band gap tuning the incorporation of Ga during In(Ga)As nanowire growth was investigated and the composition homogeneity analyzed. Variable Ga contents between 0 % and 60 % in the nanowires were achieved with very high composition homogeneity.      «

In this thesis the growth of catalyst-free In(Ga)As nanowires on Si(111) by molecular beam epitaxy was investigated. In particular, two growth strategies were developed, i.e., a self-assembled (spatially unordered) nanowire growth on SiOx/Si(111) and site-selective growth (spatially ordered nanowires) on lithographically patterned SiO2/Si(111). The nanowire growth parameter window with respect to growth temperature and flux rates was investigated and the high temperature thermal stability of InA...     »

In dieser Arbeit wurde das Wachstum von katalysatorfreien In(Ga)As Nanodrähten auf Si(111) untersucht, die mit Molekularstrahlepitaxie gewachsen worden sind. Es wurden insbesondere zwei Wachstumsstrategien entwickelt, d.h. selbstorganisiertes (räumlich ungeordnetes) Nanodrahtwachstum auf SiOx/Si(111) und ortsselektives (räumlich geordnetes) Wachstum auf lithographisch strukturiertem SiO2/Si(111). Das Parameterfenster für Nanodrahtwachstum wurde hinsichtlich Wachstumstemperatur und Flussraten untersucht und die thermische Stabilität der InAs Nanodrähte bei hohen Temperaturen analysiert. Zusätzlich wurde der vorherrschende Wachstumsmechanismus der Nanodrähte ausgearbeitet. Darüber hinaus wurde die Kristallstruktur der InAs Nanodrähte mittels Transmissionselektronenmikroskopie erforscht. Zum Verändern der Bandlücke wurde der Einbau von Ga während In(Ga)As Nanodrahtwachstum untersucht, sowie die Zusammensetzungshomogenität analysiert. Es wurde ein veränderbarer Ga Gehalt von 0 % bis 60 % in den Nanodrähten mit hoher Zusammensetzungshomogenität erreicht.      «

In dieser Arbeit wurde das Wachstum von katalysatorfreien In(Ga)As Nanodrähten auf Si(111) untersucht, die mit Molekularstrahlepitaxie gewachsen worden sind. Es wurden insbesondere zwei Wachstumsstrategien entwickelt, d.h. selbstorganisiertes (räumlich ungeordnetes) Nanodrahtwachstum auf SiOx/Si(111) und ortsselektives (räumlich geordnetes) Wachstum auf lithographisch strukturiertem SiO2/Si(111). Das Parameterfenster für Nanodrahtwachstum wurde hinsichtlich Wachstumstemperatur und Flussraten unt...     »