Diese Arbeit zielt darauf ab, die Modulationsbandbreite von InP vertical-cavity surface-emitting Lasern (VCSELs) zu verbessern, indem drei verschiedene Ansätze, wie die Verringerung der Resonatorlänge, ein neuartiges Doppel-Mesa-Design und eine hochbelastete aktive Region mit geringer Verstimmung untersucht wurden. Mit dem ersten Ansatz werden rekordhohe Kleinsignalbandbreiten von mehr als 21 GHz erreicht. Um ihre effiziente heterogene Integration in photonische integrierte Schaltungen auf Basis der Silizium-auf-Isolator (SOI) Technologie zu ermöglichen, wurden dabei monolithische VCSEL-Arrays mit Multiwellenlängenemission, Singlemode-Betrieb und definierter Polarisationsorientierung dargestellt.
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Diese Arbeit zielt darauf ab, die Modulationsbandbreite von InP vertical-cavity surface-emitting Lasern (VCSELs) zu verbessern, indem drei verschiedene Ansätze, wie die Verringerung der Resonatorlänge, ein neuartiges Doppel-Mesa-Design und eine hochbelastete aktive Region mit geringer Verstimmung untersucht wurden. Mit dem ersten Ansatz werden rekordhohe Kleinsignalbandbreiten von mehr als 21 GHz erreicht. Um ihre effiziente heterogene Integration in photonische integrierte Schaltungen auf Basis...
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