"Semiconductor nanowires", filigrane Drähte aus halbleitenden Materialien mit Durchmessern von nur wenigen Nanometern, eröffnen aufgrund ihrer geringen Größe und reduzierten Dimensionalität ein weites Feld sowohl grundlagenorientierter als auch anwendungsbezogener Forschung. Diese Habilitation befasst sich mit der Herstellung und den Eigenschaften solcher halbleitenden Nanodrähte. Als zentrale Punkte gehen die Synthese ultra-reiner Materialien unter Verwendung neuartiger Methoden der Molekularstrahlepitaxie sowie eine umfassende Untersuchung der Wachstumsmechanismen in diese Arbeit ein. Aufbauend auf diesen Ergebnissen konnten innovative radiale und axiale Heterostrukturen durch Kombination unterschiedlicher Halbleitermaterialien (InGaAs, AlGaAs...) einerseits sowie durch Variation der Kristallmodifikationen ein und derselben Verbindung (z.B. Zinkblende, Wurzit) andererseits umgesetzt werden. Vornehmlich mit den Methoden der Transmissionselektronenmikroskopie sowie der konfokalen Photolumineszenzspektroskopie bei 4,2 K wurden diese neuartigen Quanten-Heterostrukturen eingehend unter strukturellen und funktionellen Gesichtspunkten charakterisiert. In den Resultaten dieser Untersuchungen spiegelt sich nicht nur die hohe Qualität der verwendeten Materialien wider, sondern sie veranschaulichen auch vielmehr das Anwendungspotential von Nanodrähten in einer ganz neuen Generation von Halbleiterbauelementen, so zum Beispiel im Bereich der Solarzellentechnologie oder auf dem Gebiet ultra-schneller Transistoren.     «

"Semiconductor nanowires", filigrane Drähte aus halbleitenden Materialien mit Durchmessern von nur wenigen Nanometern, eröffnen aufgrund ihrer geringen Größe und reduzierten Dimensionalität ein weites Feld sowohl grundlagenorientierter als auch anwendungsbezogener Forschung. Diese Habilitation befasst sich mit der Herstellung und den Eigenschaften solcher halbleitenden Nanodrähte. Als zentrale Punkte gehen die Synthese ultra-reiner Materialien unter Verwendung neuartiger Methoden der Molekularst...     »