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Titel:

Electrostatically Doped Junctionless Graphene Nanoribbon Tunnel Field-Effect Transistor for High-Performance Gas Sensing Applications: Leveraging Doping Gates for Multi-Gas Detection

Dokumenttyp:
Zeitschriftenaufsatz
Autor(en):
Tamersit, Khalil ; Kouzou, Abdellah ; Rodriguez, José ; Abdelrahem, Mohamed
Stichworte:
Article ; Graphene nanoribbon (GNR) ; tunnel field-effect transistors (TFETs) ; junctionless (JL) ; quantum simulation ; band-to-band tunneling (BTBT) ; work function (WF) ; gas sensors ; electrostatics ; nanoscale
Zeitschriftentitel:
Nanomaterials
Jahr:
2024
Band / Volume:
14
Heft / Issue:
2
Volltext / DOI:
doi:10.3390/nano14020220
Verlag / Institution:
MDPI
E-ISSN:
2079-4991
Publikationsdatum:
19.01.2024
CC-Lizenz:
by, https://creativecommons.org/licenses/by/4.0
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