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- Originaltitel:
- Molecular Beam Epitaxy and Characterization of InAs-AlAsSb Core-Shell Nanowires
- Übersetzter Titel:
- Molekularstrahlepitaxie und Charakterisierung von InAs-AlAsSb Kern-Schalen Nanodrähten
- Autor:
- del Giudice, Fabio
- Jahr:
- 2023
- Dokumenttyp:
- Dissertation
- Fakultät/School:
- TUM School of Natural Sciences
- Betreuer:
- Koblmüller, Gregor (Priv.-Doz. Dr.)
- Gutachter:
- Koblmüller, Gregor (Priv.-Doz. Dr.); Stutzmann, Martin (Prof. Dr.)
- Sprache:
- en
- Fachgebiet:
- PHY Physik
- Stichworte:
- III-V semiconductors, MBE, nanowires
- Übersetzte Stichworte:
- III-V Halbleiter, MBE, Nanodrähte
- TU-Systematik:
- PHY 700
- Kurzfassung:
- In the present work the growth of InAs-AlAsSb core-shell nanowires with ultrathin InAs core via molecular beam epitaxy on silicon is introduced. High yield and high aspect ratio InAs nanowires with diameters below 30 nm are presented. Further, the epitaxial overgrowth with AlAsSb including As fraction tunability is established. Finally, PL studies show a wide range of tunabilily for the InAs core emission.
- Übersetzte Kurzfassung:
- In der vorliegenden Arbeit wird das Wachstum von InAs-AlAsSb Kern-Schalen Nanodrähten mit ultradünnem InAs-Kern mittels MBE auf Si vorgestellt. Dabei werden InAs Nanodrähte mit hoher Ausbeute und hohem Aspektverhältnis mit Durchmessern unter 30nm präsentiert. Darüber hinaus wird das epitaktische Überwachsen mit AlAsSb einschließlich der Durchstimmbarkeit des As-Anteils etabliert. Abschließend zeigen PL-Studien die Durchstimmbarkeit der Emission der InAs-Kerne über einen breiten Bereich.
- Serie / Reihe:
- Selected Topics of Semiconductor Physics and Technology
- Bandnummer:
- Vol. 247
- ISBN:
- 978-3-946379-47-8
- WWW:
- https://mediatum.ub.tum.de/?id=1690551
- Eingereicht am:
- 02.11.2022
- Mündliche Prüfung:
- 16.03.2023
- Letzte Änderung:
- 16.06.2023
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