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Original title:
Physikalische Modellierung und numerische Simulation von Nanodraht-Tunnelfeldeffekttransistoren
Translated title:
Physics-based Modelling and Numerical Simulation of Nanowire-Tunneling Field-Effect Transistors
Author:
Heigl, Alexander Maximilian
Year:
2015
Document type:
Dissertation
Faculty/School:
Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik
Advisor:
Wachutka, Gerhard (Prof. Dr.)
Referee:
Wachutka, Gerhard (Prof. Dr.); Hansch, Walter (Prof. Dr.)
Language:
de
Subject group:
ELT Elektrotechnik
Keywords:
phononenunterstütztes Band-zu-Band Tunneln, Tunnelfeldeffekttransistor, Optimierung, Modellierung
Translated keywords:
phonon-assisted band-to-band tunneling, tunneling field-effect transistor, modelling, optimisation
TUM classification:
ELT 200d
Abstract:
Im Rahmen dieser Arbeit werden die Eigenschaften von Nanodraht-Tunneltransistoren in unterschiedlichen Bauformen mit Hilfe von numerischen Simulationen analysiert. Um eine Optimierung der Schalteigenschaften zu erzielen, werden die Auswirkungen von Dotierprofilen, Geometrie und Materialeigenschaften untersucht und daran anschließend die zugrunde liegenden Mechanismen erklärt. Da das Standardmodell zur Beschreibung von Band-zu-Band Tunnelprozessen einen Fehler aufweist, wird ein korrigiertes Mod...     »
Translated abstract:
Using physical device simulation, the functionality and performance of various nanowire tunneling field-effect transistors is investigated. The focal point of this work is directed on the optimisation of the switching behaviour of nanowire tunneling transistors by the variation of the doping profiles and the geometrical dimensions. Special attention is focused on the possibility to improve the device performance by considering alternative materials for the gate-stack and the source region. In co...     »
WWW:
https://mediatum.ub.tum.de/?id=1084538
Date of submission:
29.09.2011
Oral examination:
24.04.2015
File size:
10718144 bytes
Pages:
141
Urn (citeable URL):
https://nbn-resolving.de/urn/resolver.pl?urn:nbn:de:bvb:91-diss-20150424-1084538-1-5
Last change:
02.07.2015
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