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Dokumenttyp:
Zeitschriftenaufsatz
Autor(en):
Ruhstorfer, Daniel; Döblinger, Markus; Riedl, Hubert; Finley, Jonathan J.; Koblmüller, Gregor
Titel:
Role of twin defects on growth dynamics and size distribution of undoped and Si-doped GaAs nanowires by selective area epitaxy
Zeitschriftentitel:
Journal of Applied Physics
Jahr:
2022
Band / Volume:
132
Heft / Issue:
20
Volltext / DOI:
doi:10.1063/5.0124808
Verlag / Institution:
AIP Publishing
E-ISSN:
0021-89791089-7550
Publikationsdatum:
22.11.2022
BibTeX
Vorkommen:
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