The short channel effects (SCE) are becoming serious problems as MOSFET scales down to the deep sub-micron dimension. For this reason, a silicon tunneling transistor called TFET is investigated. The device and process simulations are carried out to investigate physical principle, optimized fabrication conditions, and future structure of TFET. With the improved technologies, the complementary TFETs are realized on the single silicon wafer. The room temperature gate-controlled tunneling is realized in this silicon device. Due to the low leakage current, TFET can be used in the low power circuits. In addition, TFET is suitable for microwave application because of the short electron transit time through its channel.     «

The short channel effects (SCE) are becoming serious problems as MOSFET scales down to the deep sub-micron dimension. For this reason, a silicon tunneling transistor called TFET is investigated. The device and process simulations are carried out to investigate physical principle, optimized fabrication conditions, and future structure of TFET. With the improved technologies, the complementary TFETs are realized on the single silicon wafer. The room temperature gate-controlled tunneling is realize...     »

Für zukünftige MOSFET-Generationen treten neben technologischen Problemen große Schwierigkeiten aufgrund parasitärer Leckströme auf. Als alternatives ULSI-Bauelement ist in dieser Arbeit ein MOS-gesteuerter Tunneltransistor (TFET) untersucht worden. In Simulationen sind die Herstellungssequenzen, verschiedene Bauelementgeometrien und die resultierenden elektrischen Eigenschaften optimiert worden. In CMOS-Technologie wurden auf einem Si-wafer komplementäre TFETs hergestellt und charakterisiert. Durch Ausnutzung des Tunneleffektes im Stromtransport weisen die TFETs erheblich geringere Leckströme gegenüber MOSFETs auf, steuern über 6 Größenordnungen und vereinen die Vorteile der verlustarmen CMOS-Steuerung mit dem exponentiellen Stromanstieg eines Bipolartransistors. Diese Eigenschaften lassen den TFET für ultra-low power-Schaltungen und Höchstfrequenzanwendungen geeignet erscheinen.     «

Für zukünftige MOSFET-Generationen treten neben technologischen Problemen große Schwierigkeiten aufgrund parasitärer Leckströme auf. Als alternatives ULSI-Bauelement ist in dieser Arbeit ein MOS-gesteuerter Tunneltransistor (TFET) untersucht worden. In Simulationen sind die Herstellungssequenzen, verschiedene Bauelementgeometrien und die resultierenden elektrischen Eigenschaften optimiert worden. In CMOS-Technologie wurden auf einem Si-wafer komplementäre TFETs hergestellt und charakterisiert. D...     »