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Titel:
Resistive memory devices with improved resistive changing elements
Dokumenttyp:
Patent
Patent, Gebrauchsmuster Nr.:
US 8742387 B2
Erfinder:
Happ; Thomas (Dresden, DE), Kreupl; Franz (Munich, DE), Philipp; Jan Boris (Munich, DE), Majewski; Petra (Munich, DE)
Patentanmelder:
Happ; Thomas (Dresden, DE), Kreupl; Franz (Munich, DE), Philipp; Jan Boris (Munich, DE), Majewski; Petra (Munich, DE)
Anmeldeland:
US
Veröffentlichungsdatum / Patent:
03.06.2014
Jahr:
2014
Nachgewiesen in:
Scopus
TUM Einrichtung:
Hybride Elektronische Systeme
Format:
Text
BibTeX
Vorkommen:
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