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Titel:

Exploring the Limits of the Safe Operation Area of Power Semiconductor Devices

Dokumenttyp:
Konferenzbeitrag
Autor(en):
Sandow, C.; Baburske, R.; Niedernostheide, F.-J.; Pfirsch, F.; Toechterle, C.
Seitenangaben Beitrag:
pp. 49-52
Kongress- / Buchtitel:
Proceedings of the International Conference on Simulation of Semiconductor Processe and Devices
Kongress / Zusatzinformationen:
SISPAD 2014, September 9-11, Yokohama, Japan
Jahr:
2014
Sprache:
en
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