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Autor(en):
Dankerl, Markus; Hauf, Moritz V.; Stutzmann, Martin; Garrido, Jose A.
Titel:
Diamond solution-gated field effect transistors: Properties and bioelectronic applications
Zeitschriftentitel:
Phys. Status Solidi A
Jahr:
2012
Band / Volume:
209
Seitenangaben Beitrag:
1631-1642
Volltext / DOI:
doi:10.1002/pssa.201200345
Verlag / Institution:
Wiley-Blackwell
Publikationsdatum:
01.09.2012
BibTeX
Vorkommen:
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