Diamond solution-gated field effect transistors: Properties and bioelectronic applications

Dankerl, Markus; Hauf, Moritz V.; Stutzmann, Martin; Garrido, Jose A.

doi:10.1002/pssa.201200345

Autor(en):: Dankerl, Markus; Hauf, Moritz V.; Stutzmann, Martin; Garrido, Jose A.
Titel:: Diamond solution-gated field effect transistors: Properties and bioelectronic applications
Zeitschriftentitel:: Phys. Status Solidi A
Jahr:: 2012
Band / Volume:: 209
Seitenangaben Beitrag:: 1631-1642
Volltext / DOI:: doi:10.1002/pssa.201200345
Verlag / Institution:: Wiley-Blackwell
Publikationsdatum:: 01.09.2012
BibTeX